포토리소그래피 마스크로부터 입자를 제거하기 위한 방법 및 장치

본 발명은 포토리소그래피 마스크(500)로부터 입자(550, 2750, 3150)를 제거하는 방법(3300)에 관한 것이며, 상기 방법은: (a) 제거될 입자(550, 2750, 3150) 부근에서 마스크(500)에 관하여 이동 가능한 조작기(300, 1300, 2500, 3000, 3100)를 위치시키는 단계(3320); (b) 기상(vapour phase)으로부터의 입자(550, 2750, 3150) 및/또는 조작기(300, 1300, 2500, 3000)에 연결 재료(730, 1730, 2440)를 퇴적하여 조작기(300, 1300, 2500, 3000, 3100)를 입자(550, 2750, 3150)에 연결하는 단계(3330); (c) 포토리소그래피 마스크(500)에 관하여 조작기(300, 1300, 2500, 3000, 3100)를 이동시켜서 입자(550, 2750, 3150)를 제거하는 단계(3340); 및 (d) 조작기(300, 1300, 2500, 3000, 3100)의 적어도 일부를 제거하는 입자 빔 유도 에칭 공정을 수행하여, 제거된 입자(550, 2750, 3150)를 조작기(300, 1300, 2500, 3000, 3100)로부터 분리하는 단계를 포함한다. The present application relates to a method for removing a particle from a photolithographic mask, including the following steps: (a) positioning a manipulator, which is movable relative to the mask, in the vicinity of the particle to be removed; (b) connecting the manipulator to the particle by depositing a connecting material on the manipulator and/or the particle from the vapor phase; (c) removing the particle by moving the manipulator relative to the photolithographic mask; and (d) separating the removed particle from the manipulator by carrying out a particle-beam-induced etching process which removes at least a portion of the manipulator.