고 반사율 알루미늄 층들을 위한 방법들 및 장치
기판 상의 알루미늄 층의 반사율을 증가시키기 위한 방법들 및 장치가 제공된다. 일부 실시예들에서, 기판 상에 알루미늄 층을 증착하는 방법은, CVD(chemical vapor deposition) 프로세스를 이용하여 기판 상에 코발트 또는 코발트 합금 층 또는 티타늄 또는 티타늄 합금 층을 증착하는 단계, 코발트 또는 코발트 합금 층의 상단 표면이 손상되면 대략 섭씨 400도의 온도에서의 열 수소 어닐을 이용하여 코발트 또는 코발트 합금 층을 전-처리하는 단계, 및 대략 섭씨 120도의 온도에서의 CVD 프로세스를 이용하여 코발트...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | 기판 상의 알루미늄 층의 반사율을 증가시키기 위한 방법들 및 장치가 제공된다. 일부 실시예들에서, 기판 상에 알루미늄 층을 증착하는 방법은, CVD(chemical vapor deposition) 프로세스를 이용하여 기판 상에 코발트 또는 코발트 합금 층 또는 티타늄 또는 티타늄 합금 층을 증착하는 단계, 코발트 또는 코발트 합금 층의 상단 표면이 손상되면 대략 섭씨 400도의 온도에서의 열 수소 어닐을 이용하여 코발트 또는 코발트 합금 층을 전-처리하는 단계, 및 대략 섭씨 120도의 온도에서의 CVD 프로세스를 이용하여 코발트 또는 코발트 합금 층 또는 티타늄 또는 티타늄 합금 층 상에 알루미늄 층을 증착하는 단계를 포함한다. 대략 60초 내지 대략 120초의 지속기간 동안 코발트 또는 코발트 합금 층의 전-처리가 완수될 수 있다.
Methods and apparatus for increasing reflectivity of an aluminum layer on a substrate. In some embodiments, a method of depositing an aluminum layer on a substrate comprises depositing a layer of cobalt or cobalt alloy or a layer of titanium or titanium alloy on the substrate with a chemical vapor deposition (CVD) process, pre-treating the layer of cobalt or cobalt alloy with a thermal hydrogen anneal at a temperature of approximately 400 degrees Celsius if a top surface of the layer of cobalt or cobalt alloy is compromised, and depositing a layer of aluminum on the layer of cobalt or cobalt alloy or the layer of titanium or titanium alloy with a CVD process at a temperature of approximately 120 degrees Celsius. Pre-treatment of the layer of cobalt or cobalt alloy may be accomplished for a duration of approximately 60 seconds to approximately 120 seconds. |
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