OPTICAL SHEET AND BACK PROTECTIVE SHEET

광 이용 효율을 높이고 황변 현상을 방지할 수 있는 광학시트 및 이를 이용하는 태양전지모듈용 이면보호시트가 개시된다. 광학시트는, 에너지 밴드갭이 4.0eV보다 높게 형성되는 제1 무기입자를 함유한 제1 마스터배치의 제1 수지층과, 제1 수지층 하부측 일면 상에 형성되며 에너지 밴드갭이 4.0eV 이하인 제2 무기입자를 함유한 제2 마스터배치의 제2 수지층과, 제1 수지층 상부에서 제1 수지층 상에 형성되는 제3 수지층을 포함하며, 제1 수지층의 두께는 제2 수지층 또는 제3 수지층의 두께보다 얇고, 제1 무기입자는 산화마그네슘(M...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	PARK JONG SE, KIM CHANG HUI, PARK JI SOO, NOH EUN SEOB, JANG HYUN TAE, YOON JONG KUK
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F,C08G BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY COMPOSITIONS BASED THEREON ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING METALLURGY ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS SEMICONDUCTOR DEVICES THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP USE OF INORGANIC OR NON-MACROMOLECULAR ORGANIC SUBSTANCES ASCOMPOUNDING INGREDIENTS WORKING-UP
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Beschreibung
Zusammenfassung:	광 이용 효율을 높이고 황변 현상을 방지할 수 있는 광학시트 및 이를 이용하는 태양전지모듈용 이면보호시트가 개시된다. 광학시트는, 에너지 밴드갭이 4.0eV보다 높게 형성되는 제1 무기입자를 함유한 제1 마스터배치의 제1 수지층과, 제1 수지층 하부측 일면 상에 형성되며 에너지 밴드갭이 4.0eV 이하인 제2 무기입자를 함유한 제2 마스터배치의 제2 수지층과, 제1 수지층 상부에서 제1 수지층 상에 형성되는 제3 수지층을 포함하며, 제1 수지층의 두께는 제2 수지층 또는 제3 수지층의 두께보다 얇고, 제1 무기입자는 산화마그네슘(Mg0)를 포함하고, 산화마그네슘(MgO)은 제1 수지층 내에 10 내지 60wt% 함유되며, 제2 무기입자는 이산화티탄(TiO2), 알루미늄 아세나이드(AlAs), 갈륨 아세나이드(GaAs), 갈륨 설파이드(GaS), 틴 설파이드(SnS), 레드 설파이드(PbS) 중에서 선택되는 1종 이상을 포함하며, 제1 수지층은 250nm 내지 380nm의 자외선에서 대한 반사율이 30% 이상이고, 400 내지 1100nm 파장의 광에서는 80% 이상이고, 제2 수지층은 100nm 내지 350nm의 자외선 대한 반사율이 10% 이하이고, 400 내지 1100nm 파장의 광에서는 75% 이상이고, 제3 수지층은 TiO2 백색마스터배치를 포함하며, 안료로서 니켈(Ni), 바륨(Ba) 및 인(P) 중에서 선택된 1종 이상을 포함한다.