NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Provided are a nonvolatile memory device with improved integration and a manufacturing method thereof. The nonvolatile memory device comprises: a mold structure including a plurality of word lines stacked on a substrate and first and second string selection lines stacked on the plurality of word lines; a first cutting structure cutting the mold structure; a second cutting structure spaced apart from the first cutting structure and cutting the mold structure; a channel structure passing through the mold structure and connected to the substrate, between the first cutting structure and the second cutting structure; a first cutting line cutting the first string selection line and non-cutting the second string selection line, between the first cutting structure and the channel structure; and a second cutting line cutting the second string selection line and non-cutting the first string selection line, between the second cutting structure and the channel structure. 집적도가 향상된 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 비휘발성 메모리 장치는, 기판 상에 적층되는 복수의 워드 라인 및 복수의 워드 라인 상에 적층되는 제1 및 제2 스트링 선택 라인을 포함하는 몰드 구조체, 몰드 구조체를 절단하는 제1 절단 구조체, 제1 절단 구조체로부터 이격되어, 몰드 구조체를 절단하는 제2 절단 구조체, 제1 절단 구조체와 제2 절단 구조체 사이에, 몰드 구조체를 관통하여 기판과 접속되는 채널 구조체, 제1 절단 구조체와 채널 구조체 사이에, 제1 스트링 선택 라인을 절단하고, 제2 스트링 선택 라인을 비절단하는 제1 절단 라인, 및 제2 절단 구조체와 채널 구조체 사이에, 제2 스트링 선택 라인을 절단하고, 제1 스트링 선택 라인을 비절단하는 제2 절단 라인을 포함한다.