SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING LANDING PADS

The present invention provides a semiconductor element having a landing pad which can reduce resistance of the landing pad and a lower electrode. The semiconductor element comprises: a landing pad; a first insulating pattern in contact with a lower side of a side surface of the landing pad; a pad oxide layer having a horizontal portion on an upper surface of the landing pad and a vertical portion in contact with an upper side of the landing pad; a second insulating pattern in contact with an upper surface of the first insulating pattern and covering the first insulating pattern and the pad oxide layer; and a lower electrode vertically penetrating the second insulating pattern and in contact with the upper and side surfaces of the landing pad. 반도체 소자는 랜딩 패드, 랜딩 패드의 측면의 하부와 접하는 제1 절연 패턴, 랜딩 패드의 상면 상의 수평부 및 측면의 상부와 접하는 수직부를 갖는 패드 산화층, 제1 절연 패턴의 상면과 접하며 제1 절연 패턴 및 패드 산화층을 덮는 제2 절연 패턴, 및 제2 절연 패턴을 수직으로 관통하며, 랜딩 패드의 상면 및 측면에 접하는 하부 전극을 포함한다.