EUV 리소그래피 시스템 내에서의 광학 요소 수명 연장

EUV 방사선을 생성하기 위한 시스템(SO) 내의 하나 이상의 반사 광학 요소의 반사율 열화는 광학 요소를 포함하는 진공 챔버(26) 내로의 가스의 제어된 도입에 의하여 감소된다. 가스는 수소와 같은 또 다른 가스의 흐름에 추가될 수 있거나 수소 라디칼의 도입과 번갈아 가며 추가될 수 있다. Degradation of the reflectivity of one or more reflective optical elements in a system for generating EUV radiation is reduced by the co...

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Hauptverfasser:	ERSHOV ALEXANDER IGOREVICH, WESTERLAKEN JAN STEVEN CHRISTIAAN, JACOBS JOHANNES HENRICUS WILHELMUS, ROMMERS JEROEN HUBERT, VAN DIJCK HENDRIKUS ALPHONSUS LUDOVICUS, YAGHOOBI PARHAM, KEMPEN ANTONIUS THEODORUS WILHELMUS, FOMENKOV IGOR VLADIMIROVICH, KUZNETSOV ALEXEY SERGEEVICH, DUARTE RODRIGUES NUNES RUI MIGUEL, LAFORGE ANDREW DAVID, VAN DRENT WILLIAM PETER, BRIZUELA FERNANDO, WIEGGERS ROB CARLO, KIM ALEXANDER DOWNN, MOORS JOHANNES HUBERTUS JOSEPHINA, GOMES UMESH PRASAD, LEENDERS MARTINUS HENDRIKUS ANTONIUS, MA YUE, ZHU QIUSHI, HUMMLER KLAUS MARTIN, LIU FEI, NEDANOVSKA ELENA, KORKMAZ CELAL, JONKERS PETER GERARDUS, VAN DE WIEL HUBERTUS JOHANNES
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS OPTICS ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS X-RAY TECHNIQUE
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Beschreibung
Zusammenfassung:	EUV 방사선을 생성하기 위한 시스템(SO) 내의 하나 이상의 반사 광학 요소의 반사율 열화는 광학 요소를 포함하는 진공 챔버(26) 내로의 가스의 제어된 도입에 의하여 감소된다. 가스는 수소와 같은 또 다른 가스의 흐름에 추가될 수 있거나 수소 라디칼의 도입과 번갈아 가며 추가될 수 있다. Degradation of the reflectivity of one or more reflective optical elements in a system for generating EUV radiation is reduced by the controlled introduction of a gas into a vacuum chamber containing the optical element. The gas may be added to the flow of another gas such as hydrogen or alternated with the introduction of hydrogen radicals.