SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CAPACITOR

The present invention relates to a semiconductor device including a first electrode on a substrate. A capacitor dielectric layer is disposed on the first electrode. A second electrode is disposed on the capacitor dielectric layer. A first insulating layer is provided on the first and second electrodes and the capacitor dielectric layer. A first wiring structure disposed on the first insulating layer and connected to the first electrode is provided. A second wiring structure disposed on the first insulating layer and connected to the second electrode is provided. A second insulating layer is disposed on the first and second wiring structures. A plurality of connection structures are disposed through the second insulating layer and connected to the first and second wiring structures. Each of the first and second wiring structures has an aluminum layer. 반도체 소자는 기판 상의 제1 전극을 포함한다. 상기 제1 전극 상에 캐패시터 유전층이 배치된다. 상기 캐패시터 유전층 상에 제2 전극이 배치된다. 상기 제1 및 제2 전극, 및 상기 캐패시터 유전층 상에 제1 절연층이 제공된다. 상기 제1 절연층 상에 배치되고 상기 제1 전극에 접속된 제1 배선 구조체가 제공된다. 상기 제1 절연층 상에 배치되고 상기 제2 전극에 접속된 제2 배선 구조체가 제공된다. 상기 제1 및 제2 배선 구조체 상에 제2 절연층이 배치된다. 상기 제2 절연층을 관통하여 상기 제1 및 제2 배선 구조체에 접속된 다수의 연결 구조체가 배치된다. 상기 제1 및 제2 배선 구조체의 각각은 알루미늄 층을 갖는다.