플라스마 처리 방법

본 발명은, 이와 같은 과제를 감안해서 이루어진 것이며, 폴리실리콘막의 마스크층을 형성하는 플라스마 처리 방법에 있어서, 에칭 형상 이상을 억제할 수 있는 플라스마 처리 방법을 제공한다. 본 발명은, 폴리실리콘막을 플라스마 에칭하는 플라스마 처리 방법에 있어서, 할로겐 가스와 플루오로카본 가스와 산소 가스와 황화카르보닐 가스의 혼합 가스를 이용해서 상기 폴리실리콘막을 플라스마 에칭하는 것을 특징으로 한다. The invention has been made in view of the above problems, and provides...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: TAKAMATSU TOMOHIRO, ARASE TAKAO, KAJIFUSA HIROYUKI
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:본 발명은, 이와 같은 과제를 감안해서 이루어진 것이며, 폴리실리콘막의 마스크층을 형성하는 플라스마 처리 방법에 있어서, 에칭 형상 이상을 억제할 수 있는 플라스마 처리 방법을 제공한다. 본 발명은, 폴리실리콘막을 플라스마 에칭하는 플라스마 처리 방법에 있어서, 할로겐 가스와 플루오로카본 가스와 산소 가스와 황화카르보닐 가스의 혼합 가스를 이용해서 상기 폴리실리콘막을 플라스마 에칭하는 것을 특징으로 한다. The invention has been made in view of the above problems, and provides a plasma processing method capable of preventing etching shape abnormality in a plasma processing method for forming a mask layer of a polysilicon film. The invention relates to a plasma processing method for plasma-etching a polysilicon film, the plasma processing method comprising plasma-etching the polysilicon film using a mixed gas including a halogen gas, a fluorocarbon gas, an oxygen gas, and a carbonyl sulfide gas.