Semiconductor Die Formation and Packaging Thereof

The present invention relates to a method for forming and packaging a semiconductor die to reduce the height of silicon debris (grooving burr or Si debris) by changing the structure of a passivation insulating film formed on a scribe line of the semiconductor die. The present invention provides a structure in which a passivation insulating film is removed in a scribe line region positioned between die regions, which is an IC chip region. With this structure, when a laser beam is emitted to the scribe line region according to a laser grooving process, the silicon debris is formed at a predetermined height from an upper surface of an interlayer insulating layer, not the passivation insulating layer. Therefore, the present invention can solve the problem of blocking the movement of an ACF conductive ball by the silicon debris formed from the conventional passivation insulating layer. 본 발명은 반도체 다이의 스크라이브 라인(scribe line)에 형성된 패시베이션 절연막의 구조 변경을 통하여 실리콘 데브리스(grooving burr or Si debris)의 발생 높이를 낮추도록 하는 반도체 다이 형성 및 패키징 방법에 관한 것이다. 본 발명은 IC 칩 영역인 다이 영역들 사이에 위치하는 스크라이브 라인 영역에 패시베이션 절연막이 제거된 구조를 제공한다. 이러한 구조에 의하여 레이저 그루빙 공정에 따라 레이저 빔이 상기 스크라이브 라인 영역에 조사되면 패시베이션 절연막이 아닌 층간 절연막의 상면부터 실리콘 데브리스가 소정 높이로 형성되는 것이다. 따라서 종래 패시베이션 절연막부터 형성된 실리콘 데브리스에 의하여 ACF 도전볼의 이동이 차단되는 문제를 해결할 수 있다.