금속 함유 재료들을 위한 고압 어닐링 프로세스

본 개시내용은 TFT 디스플레이 애플리케이션들, 반도체 또는 메모리 애플리케이션들에서 금속 함유 층 상에 어닐링 프로세스를 수행하기 위한 방법들을 제공한다. 일 예에서, 기판 상에 금속 함유 층을 형성하는 방법은, 프로세싱 챔버에서 기판 상에 산소 함유 가스 혼합물을 공급하는 단계 - 기판은 광학적으로 투명한 기판 상에 배치된 금속 함유 층을 포함함 -; 약 2 bar 내지 약 50 bar의 프로세스 압력으로 프로세싱 챔버에서 산소 함유 가스 혼합물을 유지하는 단계; 및 산소 함유 가스 혼합물의 존재 하에서 금속 함유 층을 열 어닐링하는 단계를 포함한다. The present disclosure provides methods for performing an annealing process on a metal containing layer in TFT display applications, semiconductor or memory applications. In one example, a method of forming a metal containing layer on a substrate includes supplying an oxygen containing gas mixture on a substrate in a processing chamber, the substrate comprising a metal containing layer disposed on an optically transparent substrate, maintaining the oxygen containing gas mixture in the processing chamber at a process pressure between about 2 bar and about 50 bar, and thermally annealing the metal containing layer in the presence of the oxygen containing gas mixture.