WAFER PLACEMENT APPARATUS

According to the present invention, an electrostatic chuck heater (10) comprises: a ceramic plate (20) which has a wafer placement surface (20a) on an upper surface, and a heater electrode (22) and an electrostatic electrode (24) built inside; and a cooling plate placed on a lower surface (20b) on the opposite side to the wafer placement surface (20a) of the ceramic plate (20), and having a refrigerant flow path (50) formed inside. The refrigerant flow path (50) includes: a first flow path (52) formed on a single continuous line to be parallel to the wafer placement surface (20a); and a second flow path (54) formed on a single continuous line to follow the first flow path (52). On an entrance (52i) side of the first flow path (52), there is an exit (54o) of the second flow path (54). On an exit (52o) side of the first flow path (52), there is an entrance (54i) of the second flow path (54). The wafer placement apparatus is able to increase the crackability of a wafer. 정전 척 히터(10)는, 상면에 웨이퍼 배치면(20a)을 갖고, 히터 전극(22) 및 정전 전극(24)이 내장된 세라믹 플레이트(20)와, 세라믹 플레이트(20)의 웨이퍼 배치면(20a)과는 반대측의 하면(20b)에 배치되고, 내부에 냉매 유로(50)가 형성된 냉각 플레이트를 구비하고 있다. 냉매 유로(50)는, 웨이퍼 배치면(20a)에 평행하게 되도록 단일 연속 라인으로 형성된 제1 유로(52)와, 제1 유로(52)를 따르도록 단일 연속 라인으로 형성된 제2 유로(54)를 갖고, 제1 유로(52)의 입구(52i)측에 제2 유로(54)의 출구(54o)가 있고, 제1 유로(52)의 출구(52o)측에 제2 유로(54)의 입구(54i)가 있다.