Polymer and composition for forming anti-reflective film and method of manufacturing integrated circuit device using anti-reflective film

Disclosed are a polymer having a repeating unit represented by chemical formula 1, a composition containing the polymer, and a method of manufacturing an integrated circuit device using the composition. In the chemical formula 1, each R_1, R_2, and R_3 is independently a substituted or unsubstituted...

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Hauptverfasser: KIM HYUN JIN, ROH HYO JUNG, HONG SUK KOO, LEE JUNG YOUL, KANG MI YEONG, KIM HYE REUN, KIM JI HYUN, PARK JONG KYOUNG
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:Disclosed are a polymer having a repeating unit represented by chemical formula 1, a composition containing the polymer, and a method of manufacturing an integrated circuit device using the composition. In the chemical formula 1, each R_1, R_2, and R_3 is independently a substituted or unsubstituted C1-C6 chain or substituted or unsubstituted C3-C6 cyclic saturated or unsaturated hydrocarbon group containing 0-2 first heteroatoms, at least one of R_1, R_2, and R_3 is a hydrocarbon group substituted with a fluorine atom, R_4 is a C1-C10 chain or C3-C10 cyclic saturated or unsaturated hydrocarbon group containing 0-2 second heteroatoms, and R_5 is a C1-C10 chain or C3-C10 cyclic saturated or unsaturated hydrocarbon group containing 1-6 third heteroatoms. 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 가지는 폴리머와, 상기 폴리머를 포함하는 조성물과, 상기 조성물을 이용하는 집적회로 소자의 제조 방법을 개시한다. [화학식 1] JPEGpat00020.jpg5498 화학식 1에서, R1, R2, 및 R3은 각각 독립적으로 0 ∼ 2 개의 제1 헤테로 원자를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1-C6의 사슬형 또는 치환 또는 비치환된 C3-C6의 고리형의 포화 또는 불포화 탄화수소기이고, R1, R2, 및 R3 중 적어도 하나는 불소 원자로 치환된 탄화수소기이고, R4는 0 ∼ 2 개의 제2 헤테로 원자를 포함하는 C1-C10의 사슬형 또는 C3-C10의 고리형의 포화 또는 불포화 탄화수소기이고, R5는 1 ∼ 6 개의 제3 헤테로 원자를 포함하는 C1-C10의 사슬형 또는 C3-C10의 고리형의 포화 또는 불포화 탄화수소기이다.