MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD THEREOF

The present invention relates to a memory device that processes a program operation as failure in a program verification step to prevent failure with uncorrectable errors of an electronic device. The memory device comprises: a page including a plurality of memory cells; a peripheral circuit for performing at least one program loop including a program voltage application step of applying program voltage to a word line to which the plurality of memory cells included in the page are connected, and a program verification step of determining whether a program is completed in a selected memory cell among the plurality of memory cells included in the page; and a control logic that performs an auxiliary verification operation of applying auxiliary verification voltage to the word line and a main verification operation of applying main verification voltage greater than the auxiliary verification voltage applied to the word line in the program verification step, and controls the peripheral circuit to determine failure of a program operation based on verification data which is a result of performing the auxiliary verification operation and the main verification operation. 본 기술은 전자 장치에 관한 에러 정정 불가능한 페일을 방지하기 위해, 프로그램 검증 단계에서 프로그램 동작을 페일로 처리하는 메모리 장치는, 복수의 메모리 셀들을 포함하는 페이지, 상기 페이지에 포함된 복수의 메모리 셀들이 연결된 워드라인에 프로그램 전압을 인가하는 프로그램 전압 인가 단계 및 상기 페이지에 포함된 복수의 메모리 셀들 중 선택된 메모리 셀의 프로그램 완료 여부를 판단하는 프로그램 검증 단계를 포함하는 적어도 하나의 프로그램 루프를 수행하는 주변 회로 및 상기 프로그램 검증 단계에서 상기 워드라인에 보조 검증 전압을 인가하는 보조 검증 동작, 상기 워드라인에 인가하는 보조 검증 전압 보다 큰 메인 검증 전압을 인가하는 메인 검증 동작을 수행하고, 상기 보조 검증 동작 및 상기 메인 검증 동작을 수행한 결과인 검증 데이터를 기초로 프로그램 동작의 페일을 판단하도록 상기 주변 회로를 제어하는 제어 로직을 포함한다.