광 검출 장치

광 검출 장치(1)는 화합물 반도체로 이루어진 애벌란시 포토다이오드 어레이 기판(10)을 구비한다. 회로 기판(50)은 복수의 시간 계측 회로(40)와, 클록 드라이버(35)를 가진다. 각 시간 계측 회로(40)는 지연 라인부를 가지며, 지연 라인(47)의 동작 결과로부터, 대응하는 애벌란시 포토다이오드(20)로부터 펄스 신호가 입력된 타이밍을 나타내는 시간 정보를 취득한다. 지연 라인부는 펄스 신호가 해당 시간 계측 회로(40)에 입력됨에 따라서 지연 라인(47)의 동작을 개시하고, 클록 드라이버(35)로부터의 클록 신호가 해당 시간 계측 회로(40)에 입력됨에 따라서 지연 라인(47)의 동작을 정지하며, 지연 라인(47)의 동작에 의해서 클록 신호의 주기보다도 짧은 시간 간격을 검출한다. A photodetector device 1 includes an avalanche photodiode array substrate 10. A circuit substrate 50 includes time measurement circuits 40 and a clock driver 35. Each of the time measurement circuit 40 includes a delay line unit, and is arranged to acquire, from an operation result of a delay line 47, time information indicating timing at which a pulse signal is input from a corresponding avalanche photodiode 20. The delay line unit is arranged to initiate an operation of the delay line 47 in response to input of the pulse signal to the time measurement circuit 40, and to stop the operation of the delay line 47 in response to input of a clock signal from a clock driver 35 to the time measurement circuit 40, and is arranged to detect a time interval shorter than a cycle of the clock signal by the operation of the delay line 47.