TARGET FOR LASER PRODUCED PLASMA EXTREME ULTRAVIOLET LIGHT SOURCE

EUV(extreme ultraviolet) 광을 발생하는 기술은, 변형된 액적(modified droplet)을 형성하기 위해, 타겟 재료 액적의 형상을 변경하기에 충분한 에너지를 갖는 제1 방사선 펄스를 타겟 재료 액적 쪽으로 지향시키는 단계와, 흡수 재료를 형성하기 위해, 변형된 액적의 특성을 바꾸기에 충분한 에너지를 갖는 제2 방사선 펄스를 변형된 액적 쪽으로 지향시키는 단계로서, 이 특성은 방사선의 흡수에 관련되는, 제2 방사선 펄스를 지향시키는 단계와, 흡수 재료의 적어도 일부분을 극자외(EUV) 광으로 변환하기에 충분한 에너지를 갖는 증폭 광빔을 상기 흡수 재료 쪽으로 지향시키는 단계를 포함한다. Techniques for generating EUV light include directing a first pulse of radiation toward a target material droplet to form a modified droplet, the first pulse of radiation having an energy sufficient to alter a shape of the target material droplet; directing a second pulse of radiation toward the modified droplet to form an absorption material, the second pulse of radiation having an energy sufficient to change a property of the modified droplet, the property being related to absorption of radiation; and directing an amplified light beam toward the absorption material, the amplified light beam having an energy sufficient to convert at least a portion of the absorption material into extreme ultraviolet (EUV) light.