다중 패터닝 프로세스에서 원자 층 증착을 사용한 스페이서 프로파일 제어

멀티-패터닝 프로세스들에서 원자 층 증착 (ALD: atomic layer deposition) 을 사용한 스페이서 프로파일 제어를 위한 방법들 및 장치들이 본 명세서에 기술된다. 실리콘 옥사이드 스페이서가 멀티-패터닝 스킴에서 기판의 패터닝된 코어 재료 및 타깃 층 위에 증착된다. 제 1 두께의 실리콘 옥사이드 스페이서가 산화 시간, 플라즈마 전력, 및 기판 온도를 포함하는 제 1 산화 조건 하에서 복수의 ALD 사이클들에 의해 증착된다. 제 2 두께의 실리콘 옥사이드 스페이서가 제 2 산화 조건 하에서 복수의 ALD 사이클들에...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	ABATCHEV MIRZAFER, YAMAGUCHI YOKO, FU QIAN, EPPLER AARON
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY PLASMA TECHNIQUE PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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