다중 패터닝 프로세스에서 원자 층 증착을 사용한 스페이서 프로파일 제어

멀티-패터닝 프로세스들에서 원자 층 증착 (ALD: atomic layer deposition) 을 사용한 스페이서 프로파일 제어를 위한 방법들 및 장치들이 본 명세서에 기술된다. 실리콘 옥사이드 스페이서가 멀티-패터닝 스킴에서 기판의 패터닝된 코어 재료 및 타깃 층 위에 증착된다. 제 1 두께의 실리콘 옥사이드 스페이서가 산화 시간, 플라즈마 전력, 및 기판 온도를 포함하는 제 1 산화 조건 하에서 복수의 ALD 사이클들에 의해 증착된다. 제 2 두께의 실리콘 옥사이드 스페이서가 제 2 산화 조건 하에서 복수의 ALD 사이클들에...

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Hauptverfasser: ABATCHEV MIRZAFER, YAMAGUCHI YOKO, FU QIAN, EPPLER AARON
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:멀티-패터닝 프로세스들에서 원자 층 증착 (ALD: atomic layer deposition) 을 사용한 스페이서 프로파일 제어를 위한 방법들 및 장치들이 본 명세서에 기술된다. 실리콘 옥사이드 스페이서가 멀티-패터닝 스킴에서 기판의 패터닝된 코어 재료 및 타깃 층 위에 증착된다. 제 1 두께의 실리콘 옥사이드 스페이서가 산화 시간, 플라즈마 전력, 및 기판 온도를 포함하는 제 1 산화 조건 하에서 복수의 ALD 사이클들에 의해 증착된다. 제 2 두께의 실리콘 옥사이드 스페이서가 제 2 산화 조건 하에서 복수의 ALD 사이클들에 의해 증착되고, 제 2 산화 조건은 하나 이상의 파라미터들에 의해 제 1 산화 조건과 상이하다. 패터닝된 코어 재료를 에칭한 후, 발생되는 실리콘 옥사이드 스페이서의 프로파일은 제 1 산화 조건 및 제 2 산화 조건에 적어도 부분적으로 종속된다. Methods and apparatuses for spacer profile control using atomic layer deposition (ALD) in multi-patterning processes are described herein. A silicon oxide spacer is deposited over a patterned core material and a target layer of a substrate in a multi-patterning scheme. A first thickness of the silicon oxide spacer is deposited by multiple ALD cycles under a first oxidation condition that includes an oxidation time, a plasma power, and a substrate temperature. A second thickness of the silicon oxide spacer is deposited by multiple ALD cycles under a second oxidation condition, where the second oxidation condition is different than the first oxidation condition by one or more parameters. After etching the patterned core material, a resulting profile of the silicon oxide spacer is dependent at least in part on the first and second oxidation conditions.