미세 전자 기계 컴포넌트 및 그 제조 방법

본 발명에 따른 미세 전자 기계 컴포넌트에 있어서, 하나 이상의 미세 전자 기계 소자(5), 전기 접촉 소자(3) 및 절연 층(2.2) 및 그 위에 이산화 규소(silicon dioxide)로 형성된 희생 층(2.1)이 CMOS 회로 기판(1) 위에 형성되고, 상기 미세 전자 기계 소자(5)는 적어도 하나 이상의 자유도로 자유롭게 이동 가능하도록 배열된다. 상기 미세 전자 기계 컴포넌트의 외부 가장자리에서, 상기 CMOS 회로의 모든 소자 주위에 방사상으로 연장되고, 불화 수소산(hydrofluoric acid) 내성이 있는 가스...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	RUDLOFF DIRK, DORING SEBASTIAN, FRIEDRICHS MARTIN, HURRICH ARND
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY PERFORMING OPERATIONS PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS TRANSPORTING
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