미세 전자 기계 컴포넌트 및 그 제조 방법

본 발명에 따른 미세 전자 기계 컴포넌트에 있어서, 하나 이상의 미세 전자 기계 소자(5), 전기 접촉 소자(3) 및 절연 층(2.2) 및 그 위에 이산화 규소(silicon dioxide)로 형성된 희생 층(2.1)이 CMOS 회로 기판(1) 위에 형성되고, 상기 미세 전자 기계 소자(5)는 적어도 하나 이상의 자유도로 자유롭게 이동 가능하도록 배열된다. 상기 미세 전자 기계 컴포넌트의 외부 가장자리에서, 상기 CMOS 회로의 모든 소자 주위에 방사상으로 연장되고, 불화 수소산(hydrofluoric acid) 내성이 있는 가스 및/또는 유체-밀폐 폐쇄 층이 실리콘, 게르마늄 또는 산화 알루미늄과 함께 상기 CMOS 회로 기판(1)의 표면에 형성된다. In a microelectromechanical component according to the invention, at least one microelectromechanical element (5), electrical contacting elements (3) and an insulation layer (2.2) and thereon a sacrificial layer (2.1) formed with silicon dioxide are formed on a surface of a CMOS circuit substrate (1) and the microelectromechanical element (5) is arranged freely movably in at least a degree of freedom. At the outer edge of the microelectromechanical component, extending radially around all the elements of the CMOS circuit, a gas- and/or fluid-tight closed layer (4) which is resistant to hydrofluoric acid and is formed with silicon, germanium or aluminum oxide is formed on the surface of the CMOS circuit substrate (1).