플라즈마 프로세스 부산물 재료들을 관리하기 위한 컴포넌트들 및 프로세스들

기판 상의 다양한 플라즈마-기반 프로세스들의 수행 동안 플라즈마 프로세싱 챔버의 플라즈마 프로세싱 영역 내에 생성되는 비휘발성 및/또는 저휘발성 부산물 재료들을 관리하기 위한 컴포넌트들 및 프로세스들이 본 명세서에 개시된다. 컴포넌트들은 상단 윈도우 구조체, 라이너 구조체, 에지 링 구조체, 포커스 링 구조체, 접지 링 구조체, 기판 액세스 포트 쉴드, 챔버 벽의 포트 개구부에 대한 인서트 라이너, 및 챔버에 연결된 배기 채널 내에 위치시키기 위한 배기 배플 어셈블리를 포함한다. 다양한 컴포넌트들의 하나 이상의 프로세스-노출된 표면...

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Hauptverfasser: PENG GORDON WEN YIN, PANDHUMSOPORN TAMARAK, CHHATRE AMBARISH (RISH), CHAZARO IGNACIO (NACHO), MAROHI DAN
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:기판 상의 다양한 플라즈마-기반 프로세스들의 수행 동안 플라즈마 프로세싱 챔버의 플라즈마 프로세싱 영역 내에 생성되는 비휘발성 및/또는 저휘발성 부산물 재료들을 관리하기 위한 컴포넌트들 및 프로세스들이 본 명세서에 개시된다. 컴포넌트들은 상단 윈도우 구조체, 라이너 구조체, 에지 링 구조체, 포커스 링 구조체, 접지 링 구조체, 기판 액세스 포트 쉴드, 챔버 벽의 포트 개구부에 대한 인서트 라이너, 및 챔버에 연결된 배기 채널 내에 위치시키기 위한 배기 배플 어셈블리를 포함한다. 다양한 컴포넌트들의 하나 이상의 프로세스-노출된 표면(들)은 플라즈마 프로세스 부산물 재료들의 접착 및 잔류 (retention) 를 촉진하는 프로세스-노출된 표면에 표면 거칠기 및/또는 가공된 (engineered) 토포그래피를 부여하도록 표면 러프닝/텍스처링 (texturizing) 프로세스를 겪는다. 러프닝/텍스처링 프로세스-노출된 표면(들)을 갖는 다양한 컴포넌트들은 납 지르코네이트 타이타네이트 (PZT: lead zirconate titanate) 막 에칭 및/또는 백금 (Pt) 막 에칭 프로세스들에서 사용하기 위해 구성된다. Components and processes are disclosed herein for managing non-volatile and/or low-volatility byproduct materials that are generated within a plasma processing region of a plasma processing chamber during performance of various plasma-based processes on a substrate. The components include a top window structure, a liner structure, an edge ring structure, a focus ring structure, a ground ring structure, a substrate access port shield, an insert liner for a port opening in a chamber wall, and an exhaust baffle assembly for positioning within an exhaust channel connected to the chamber. One or more process-exposed surface(s) of the various components are subjected to a surface roughening/texturizing process to impart a surface roughness and/or engineered topography to the process-exposed surface that promotes adhesion and retention of plasma process byproduct materials. The various components with roughened/texturized process-exposed surface(s) are configured for use in lead zirconate titanate (PZT) film etching and/or platinum (Pt) film etching processes.