METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Provided is a manufacturing method of a semiconductor device for preventing a short circuit between a device and a gate contact in an active area. According to some embodiments of the present invention, the manufacturing method of a semiconductor device comprises the steps of: forming a mask pattern including first and second mask pin patterns and a dummy ask pattern between the first and second mask pin patterns on a substrate, wherein a width of the dummy mask pattern is greater than widths of the first and second ask pin patterns; forming a first pin type pattern, a second pin type pattern, and a dummy pin type pattern by etching the substrate using the mask pattern; and removing the dummy pin type pattern. 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 몇몇 실시 예에 따른 반도체 장치의 제조 방법은, 기판 상에, 제1 마스크 핀 패턴 및 제2 마스크 핀 패턴과, 상기 제1 마스크 핀 패턴 및 상기 제2 마스크 핀 패턴 사이의 더미 마스크 패턴을 포함하는 마스크 패턴을 형성하고, 상기 더미 마스크 패턴의 폭은 상기 제1 마스크 핀 패턴의 폭 및 상기 제2 마스크 핀 패턴의 폭보다 크고, 상기 마스크 패턴을 이용하여 상기 기판을 식각하여, 제1 핀형 패턴, 제2 핀형 패턴 및 더미 핀형 패턴을 형성하고, 상기 더미 핀형 패턴을 제거하는 것을 포함한다.