Variable resistance memory device and method of forming the same

Provided are a variable resistance memory device and a manufacturing method thereof that can improve the electrical characteristics of the variable resistance memory device and achieve process simplification. The variable resistance memory device comprises: a first conductive line extending in a first direction; a second conductive line extending in a second direction crossing the first direction; a switching element provided at a position where the first conductive line and the second conductive line cross each other; a variable resistance pattern provided between the switching element and the first conductive line; a lower electrode interposed between the first conductive line and the variable resistance pattern; and a spacer pattern disposed on one side of the lower electrode and having an upper surface being in contact with the variable resistance pattern, wherein the spacer pattern can be formed of an insulating material doped with impurities. 가변 저항 메모리 장치가 제공된다. 가변 저항 메모리 장치는 제 1 방향으로 연장되는 제 1 도전 라인; 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되는 제 2 도전 라인; 상기 제 1 도전 라인과 상기 제 2 도전 라인이 교차하는 위치에 제공되는 스위칭 소자; 상기 스위칭 소자와 상기 제 1 도전 라인 사이에 제공되는 가변 저항 패턴; 상기 제 1 도전 라인과 상기 가변 저항 패턴 사이에 개재되는 하부 전극; 및 상기 하부 전극 일측에 배치되며, 상기 가변 저항 패턴과 접촉하는 상면을 갖는 스페이서 패턴을 포함하되, 상기 스페이서 패턴은 불순물이 도핑된 절연 물질로 이루어질 수 있다.