Image sensor

The present invention relates to an image sensor with improved characteristics of a dark current. More specifically, the image sensor comprises: a semiconductor substrate having first and second surfaces, wherein the semiconductor substrate includes a pixel area having a photoelectric conversion area; a first conductive pattern in a first trench, wherein the first trench defines the pixel area and extends from the first surface toward the second surface; a second conductive pattern in a second trench, wherein the second trench is defined between active patterns of the first surface of the pixel area and is shallower than the first trench; transfer transistors and logic transistors on the active patterns; and a conductive line provided on the second surface and electrically connected to the first conductive pattern. 본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 제1 면 및 제2 면을 갖는 반도체 기판, 상기 반도체 기판은 광전 변환 영역을 갖는 픽셀 영역을 포함하고; 제1 트렌치 내의 제1 도전 패턴, 상기 제1 트렌치는 상기 픽셀 영역을 정의하며 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면을 향해 연장되고; 제2 트렌치 내의 제2 도전 패턴, 상기 제2 트렌치는 상기 픽셀 영역의 상기 제1 면의 활성 패턴들 사이에 정의되며 상기 제1 트렌치보다 얕고; 상기 활성 패턴들 상의 전송 트랜지스터 및 로직 트랜지스터들; 및 상기 제2 면 상에 제공되어, 상기 제1 도전 패턴과 전기적으로 연결되는 도전 라인을 포함한다.