A METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Provided is a semiconductor device manufacturing method for improving the reliability of the semiconductor device by filling a chipping area. The semiconductor device manufacturing method comprises: forming a mold structure in which a plurality of mold insulating layers and a plurality of sacrificial layers are alternately stacked on a substrate; forming a vertical channel hole penetrating the mold structure; forming a vertical sacrificial layer in the range of 6 nm to 9 nm along a side surface of the vertical channel hole; uniformly etching a part of the vertical sacrificial layer in a thickness direction of the vertical sacrificial layer to form a trimmed vertical sacrificial layer; and converting the trimmed vertical sacrificial layer into a blocking dielectric layer, and forming a semiconductor channel layer extending along the sidewall of the vertical channel hole on the blocking dielectric layer. 반도체 소자 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 소자 제조 방법은 기판 상에, 복수의 몰드 절연층 및 복수의 희생층들이 교대로 적층되는 몰드 구조체를 형성하고, 몰드 구조체를 관통하는 수직 채널 홀을 형성하고, 수직 채널 홀의 측면을 따라 6nm 내지 9nm 범위의 수직 희생막을 형성하고, 수직 희생막의 두께 방향으로 수직 희생막의 일부를 균일하게 식각하여, 트리밍된 수직 희생막을 형성하고, 트리밍된 수직 희생막을 블로킹 유전막으로 변환시키고, 블로킹 유전막 상에, 수직 채널 홀의 측벽을 따라 연장되는 반도체 채널막을 형성하는 것을 포함한다.