NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

The present invention relates to a nonvolatile memory device and a fabricating method thereof. The present invention provides a nonvolatile memory device which reduces a resistance and a resistance component at a portion connecting wiring to a channel. The nonvolatile memory device according to the present invention comprises: a substrate; a lower laminated structure including a plurality of lower conductive electrodes laminated in a first direction on the substrate; an upper laminated structure including an upper conductive electrode on the lower laminated structure; a lower channel structure including a lower channel membrane penetrating through the lower laminated structure to be extended in the first direction; and an upper channel structure including an upper channel membrane penetrating through the upper laminated structure to be extended in the first direction, wherein the upper channel membrane is in contact with the lower channel membrane, the width of the lower channel membrane in a second direction is greater than that of the upper channel membrane in the second direction on a boundary between the lower channel membrane and the upper channel membrane, the upper channel membrane is composed of monocrystalline silicon, and the lower channel membrane includes polycrystalline silicon. 본 발명은 비휘발성 메모리 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명이 해결하려는 과제는, 배선과 채널을 연결해주는 부분에서의 저항 및 저항 성분 등을 감소시키는 비휘발성 메모리 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 비휘발성 메모리 장치는, 기판, 상기 기판 상에, 제1 방향으로 적층된 복수의 하부 도전 전극을 포함하는 하부 적층 구조체, 상기 하부 적층 구조체 상에, 상부 도전 전극을 포함하는 상부 적층 구조체, 상기 하부 적층 구조체를 관통하여, 상기 제1 방향으로 연장되는 하부 채널막을 포함하는 하부 채널 구조체 및 상기 상부 적층 구조체를 관통하여, 상기 제1 방향으로 연장되는 상부 채널막을 포함하는 상부 채널 구조체를 포함하고, 상기 상부 채널막은 상기 하부 채널막과 접촉하고, 상기 하부 채널막과 상기 상부 채널막 사이의 경계에서, 상기 하부 채널막의 제2 방향으로의 폭은 상기 상부 채널막의 상기 제2 방향으로의 폭보다 크고, 상기 상부 채널막은 단결정 실리콘으로 형성되고, 상기 하부 채널막은 다결정 실리콘을 포함한다.