EMITTER MANUFACTURING METHOD AND PROCESSED EMITTER
개시된 본 발명에 의한 전자방출 소자의 제조방법은, 금속성 재질의 기판을 마련하는 마련단계, 기판을 산화시킨 후에 냉각시켜 기판의 표면에 산화막을 형성시키는 산화단계 및, 산화된 기판의 산화막으로부터 탄소나노튜브(CNT)를 성장시키는 성장단계를 포함하며, 산화막에는 불특정 패턴으로 갈라진 영역이 형성되며, 탄소나노튜브는 산화막의 갈라진 영역에서 성장된다. 이러한 구성에 의하면, 제조단가를 저감시켜 경제성이 우수하며, CNT의 성장 제어가 용이해진다....
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | 개시된 본 발명에 의한 전자방출 소자의 제조방법은, 금속성 재질의 기판을 마련하는 마련단계, 기판을 산화시킨 후에 냉각시켜 기판의 표면에 산화막을 형성시키는 산화단계 및, 산화된 기판의 산화막으로부터 탄소나노튜브(CNT)를 성장시키는 성장단계를 포함하며, 산화막에는 불특정 패턴으로 갈라진 영역이 형성되며, 탄소나노튜브는 산화막의 갈라진 영역에서 성장된다. 이러한 구성에 의하면, 제조단가를 저감시켜 경제성이 우수하며, CNT의 성장 제어가 용이해진다. |
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