Apparatus for semiconductor process and heating device for it

Provided is an apparatus for heating semiconductor process equipment, which includes a first heating unit heated with a first temperature and a second heating unit heated with a second temperature. The first heating unit includes: a 1-1th coil; a 1-2 coil spaced apart from the 1-1 coil in a first di...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: HONG SEOKHWI, KWON YOUNGIL, KIM HYOUNCHEOL, KIM BYEONGHOON, LEE SHINHAK, NOH SANGJUN
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:Provided is an apparatus for heating semiconductor process equipment, which includes a first heating unit heated with a first temperature and a second heating unit heated with a second temperature. The first heating unit includes: a 1-1th coil; a 1-2 coil spaced apart from the 1-1 coil in a first direction; and a 1-3 coil spaced apart from the 1-2 coil in the first direction. The second heating unit includes: a 2-1 coil positioned between the 1-2 coil and the 1-3 coil; a 2-2 coil spaced apart from the 1-3 coil in the first direction; and a 2-3 coil spaced apart from the 2-2 coil in the first direction. The second temperature is higher than the first temperature and the apparatus for heating semiconductor process equipment is capable of performing precise temperature control. 제1 온도로 가열되는 제1 가열부; 및 제2 온도로 가열되는 제2 가열부; 를 포함하되, 상기 제1 가열부는: 제1-1 코일; 상기 제1-1 코일로부터 제1 방향으로 이격되는 제1-2 코일; 및 상기 제1-2 코일로부터 상기 제1 방향으로 이격되는 제1-3 코일; 을 포함하고, 상기 제2 가열부는: 상기 제1-2 코일 및 상기 제1-3 코일 사이에 위치하는 제2-1 코일; 상기 제1-3 코일로부터 상기 제1 방향으로 이격되는 제2-2 코일; 및 상기 제2-2 코일로부터 상기 제1 방향으로 이격되는 제2-3 코일; 을 포함하며, 상기 제2 온도는 상기 제1 온도보다 높은 반도체 공정 설비 가열장치가 제공된다.