NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND OPERATION METHOD THEREOF

본 발명의 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법은 제1 DQ 라인을 통해 외부 장치로부터 제1 데이터 비트를 수신하고, 제2 DQ 라인을 통해 상기 외부 장치로부터 제2 데이터 비트를 수신하는 단계, 및 상기 제1 데이터 비트를 기반으로 상기 제1 DQ 라인과 대응되는 제1 메모리 셀이 소거 상태 및 제1 프로그램 상태 중 어느 하나의 상태를 갖고, 상기 제2 데이터 비트를 기반으로 상기 제2 DQ 라인과 대응되는 제2 메모리 셀이 상기 소거 상태 및 제2 프로그램 상태 중 어느 하나의 상태를 갖도록 상기 제1 및 제2 메모리 셀들을 프로그램하는 단계를 포함한다. An operation method of a nonvolatile memory device includes receiving a first DQ signal representing a first data bit from an external device through a first DQ line and receiving a second DQ signal representing a second data bit from the external device through a second DQ line, and programming a first memory cell corresponding to the first DQ line and a second memory cell corresponding to the second DQ line such that the first memory cell has any one of an erase state and a first program state based on the first DQ signal and the second memory cell has any one of the erase state and a second program state based on the second DQ signal. A lower limit value of a threshold voltage distribution corresponding to the second program state is higher than a lower limit value of a threshold voltage distribution corresponding to the first program state.