Spectral system Optical inspection apparatus and Method for manufacturing the semiconductor device
본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법은, 기판에 대해 제1 처리 공정을 수행하는 것, 상기 제1 처리 공정이 완료된 상기 기판에 대해, 광 유입부, 광 유출부, 회절 격자 및 조절 미러 소자를 포함하는 분광 시스템을 이용하여 검사 공정을 수행하는 것 및 상기 기판에 대해 상기 제1 처리 공정의 후처리 공정인 제2 처리 공정을 수행하는 것을 포함하되, 상기 검사 공정을 수행하는 것은 입사광이 상기 회절 격자에서 회절되어 파장별로 분광되고, 상기 분광된 광들 중 제1 파장을 갖는 제1 광이 상기 광 유출부로 유출되도록 상기...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; kor |
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Zusammenfassung: | 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법은, 기판에 대해 제1 처리 공정을 수행하는 것, 상기 제1 처리 공정이 완료된 상기 기판에 대해, 광 유입부, 광 유출부, 회절 격자 및 조절 미러 소자를 포함하는 분광 시스템을 이용하여 검사 공정을 수행하는 것 및 상기 기판에 대해 상기 제1 처리 공정의 후처리 공정인 제2 처리 공정을 수행하는 것을 포함하되, 상기 검사 공정을 수행하는 것은 입사광이 상기 회절 격자에서 회절되어 파장별로 분광되고, 상기 분광된 광들 중 제1 파장을 갖는 제1 광이 상기 광 유출부로 유출되도록 상기 조절 미러 소자를 제어하여 이동시키는 것을 포함한다.
A semiconductor fabrication method includes performing a first treatment process on a substrate, inspecting the substrate using a spectroscopic system that includes a light entrance part, a light exit part, a diffraction grating, and a controllable mirror device, and performing a second treatment process of the substrate. The step of performing the inspection process includes separating incident light into a plurality of light rays each having different wavelengths, the incident light being provided to the light entrance part and diffracted at the diffraction grating, and moving the controllable mirror device to reflect a first light ray from among the plurality of light rays having a first wavelength to the light exit part. |
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