Method of manufacturing semiconductor devices

The present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device. The method includes the steps of: forming a plurality of via holes on a first substrate; forming a separation layer on an upper surface of the first substrate; growing a first epi layer and a second epi layer on the upper surface of the separation layer; forming transistor elements on an upper surface of the second epi layer; providing a solution through the via holes of the first substrate and dissolving the separation layer to separate the first substrate; and bonding a second substrate to the lower surface of the first epi layer. 본 발명은 제 1 기판에 복수개의 비아홀들을 형성하는 단계, 상기 제 1 기판의 상부면에 분리층을 형성하는 단계, 상기 분리층의 상부면에 제 1 에피층 및 제 2 에피층을 성장시키는 단계, 상기 제 2 에피층의 상부면에 트랜지스터 소자들을 형성하는 단계, 상기 제 1 기판의 상기 비아홀들을 통해 용해액을 제공하여 상기 분리층을 용해시킴으로써 상기 제 1 기판을 분리시키는 단계, 및 상기 제 1 에피층의 하부면에 제 2 기판을 접합하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법을 개시한다.