패터닝 프로세스 파라미터를 결정하는 방법 및 장치

기판으로부터 복수의 구조체 각각에 의해 재지향된 방사선의 검출된 표현을 획득하는 단계 - 기판은 그 위에 추가적으로 디바이스 패턴을 가지며, 각각의 구조체는, 개개의 구조체의 개개의 공칭 물리적 구성과는 의도적으로 상이한, 개개의 구조체의 물리적 구성을 가지고, 각각의 구조체는 개개의 공칭 물리적 구성에서 기하학적 대칭을 가지며, 구조체의 의도적으로 상이한 물리적 구성은 비대칭 광학 특성 분포를 유발하고, 패터닝 프로세스 파라미터는 물리적 구성의 변화를 측정함 - ; 및 검출된 표현 및 의도적으로 상이한 물리적 구성에 기초하여, 패터닝 프로세스 파라미터를 결정하기 위한 측정 레시피를 셋업, 모니터링 또는 정정하기 위한 값을 결정하는 단계를 포함하는 방법이 제시된다. A method including: obtaining a detected representation of radiation redirected by each of a plurality of structures from a substrate additionally having a device pattern thereon, wherein each structure has an intentional different physical configuration of the respective structure than the respective nominal physical configuration of the respective structure, wherein each structure has geometric symmetry at the respective nominal physical configuration, wherein the intentional different physical configuration of the structure causes an asymmetric optical characteristic distribution and wherein a patterning process parameter measures change in the physical configuration; and determining a value, based on the detected representations and based on the intentional different physical configurations, to setup, monitor or correct a measurement recipe for determining the patterning process parameter.