기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

실리콘 산화막과 실리콘 질화막이 표면에서 노출된 기판에 실리콘을 포함하는 인산 수용액을 공급하여, 실리콘 질화막을 선택적으로 에칭하는 기판 처리 방법. 이 방법은, 규정 실리콘 농도 범위의 실리콘을 포함하는 인산 수용액을 탱크에 저류하는 공정과, 탱크 내의 인산 수용액을 노즐에 공급하고, 노즐로부터 기판에 인산 수용액을 공급하여 기판을 처리하는 공정과, 기판의 처리를 위해 사용된 인산 수용액을 탱크에 회수하는 회수 공정과, 탱크에 제 1 농도로 실리콘을 포함하는 제 1 인산 수용액을 공급하는 제 1 인산 수용액 공급 공정과, 탱크에 제 1 농도보다 낮은 제 2 농도로 실리콘을 포함하는 제 2 인산 수용액을 공급하는 제 2 인산 수용액 공급 공정과, 소정의 보충 개시 조건이 충족되면, 제 1 및 제 2 인산 수용액 공급 공정을 개시하는 개시 판정 공정과, 제 1 및 제 2 인산 수용액의 공급량을 결정하는 공급량 결정 공정을 포함한다. A substrate treatment method, whereby it becomes possible to supply a silicon-containing aqueous phosphate solution to a substrate having both of a silicon oxide film and a silicon nitride film exposed on the surface thereof so as to selectively etch the silicon nitride film. The method includes: a step of storing an aqueous phosphate solution containing silicon at a silicon concentration falling within a specified range in a tank; a step of supplying the aqueous phosphate solution in the tank to a nozzle and supplying the aqueous phosphate solution to the substrate through the nozzle to treat the substrate; a collection step of collecting the aqueous phosphate solution used for the treatment of the substrate in the tank; a first aqueous phosphate solution supply step of supplying a first aqueous phosphate solution containing silicon at a first concentration to the tank; a second aqueous phosphate solution supply step of supplying a second aqueous phosphate solution containing silicon at a second concentration that is lower than the first concentration to the tank; a start judgement step of starting the first and second aqueous phosphate solution supply steps when specified filling start conditions are satisfied; and a supply amount determination step of determining supply amounts of the first and second aqueous phosphate solutions.