반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법

본원의 발명에 따른 반도체 장치는, 기판과, 기판 위에 마련된 활성층과, 활성층 위에 마련된 클래드층과, 클래드층 위에 마련되고, 상면과, 상면과 반대측의 면인 이면과, 상면과 이면을 잇는 측면을 갖고, 클래드층보다 폭이 넓은 콘택트층과, 콘택트층의 상면과, 콘택트층의 측면의 상단부터 하단까지 접촉하는 전극을 구비한다. A semiconductor device according to the present invention includes a substrate, an active layer provided on the substrate, a cladding layer provided on the active layer, a contact layer provided on the cladding layer, the contact layer having an upper surface, a back surface which is a surface on an opposite side to the upper surface, and a side surface connecting the upper surface and the back surface, the contact layer is larger in width than the cladding layer; and an electrode that is in contact with the upper surface of the contact layer and the side surface of the contact layer from an upper end to a lower end of the side surface of the contact layer.