STORAGE DEVICE HAVING WIDE INPUT/OUTPUT AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Disclosed is a method of operating a controller for controlling a nonvolatile memory device. The method includes the steps of: enabling a command latch enable signal, an address latch enable signal and a write enable signal; transmitting a plurality of data signals including a command and an address...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: KIM HYEONWU, AHN SEOK WON, YOON CHANHO, KIM DAEKYOUNG
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:Disclosed is a method of operating a controller for controlling a nonvolatile memory device. The method includes the steps of: enabling a command latch enable signal, an address latch enable signal and a write enable signal; transmitting a plurality of data signals including a command and an address to the nonvolatile memory device; disabling the command latch enable signal after the command is transmitted; and disabling the address latch enable signal and the write enable signal after the address is transmitted. The number of DQ lines through which the data signals are transmitted may be greater than the number of bits of each data signal constituting the data signals. 불휘발성 메모리 장치를 제어하는 컨트롤러의 동작 방법이 개시된다. 상기 방법은 커맨드 래치 인에이블 신호, 어드레스 래치 인에이블 신호 및 쓰기 인에이블 신호를 인에이블 시키는 단계, 커맨드 및 어드레스를 포함하는 복수의 데이터 신호들을 불휘발성 메모리 장치로 전송하는 단계, 커맨드가 전송된 후 커맨드 래치 인에이블 신호를 디스에이블 시키는 단계, 그리고 어드레스가 전송된 후 어드레스 래치 인에이블 신호 및 쓰기 인에이블 신호를 디스에이블 시키는 단계를 포함한다. 복수의 데이터 신호들이 전송되는 DQ 라인들의 개수는, 복수의 데이터 신호들을 구성하는 각 데이터 신호의 비트 수보다 많을 수 있다.