레지스트 패턴 형성 방법 및 기판의 처리 방법

높은 감도로 해상성이 우수한 레지스트 패턴 형성 방법 및 기판의 처리 방법의 제공을 목적으로 한다. 본 발명은 적어도 한쪽 표층에 금속 원소를 함유하는 기판의 상기 금속 원소를 함유하는 표면에 대한 자외선의 폭로, 플라스마의 폭로, 물의 접촉, 알칼리의 접촉, 산의 접촉, 과산화수소의 접촉 및 오존의 접촉 중 1 또는 2 이상의 처리를 행하는 공정과, 상기 처리 공정에 의해 처리된 표면에 레지스트 조성물을 도공하는 공정과, 상기 도공 공정에 의해 형성된 레지스트막을 극단 자외선 또는 전자선으로 노광하는 공정과, 상기 노광된 레지스트막을 현상하는 공정을 구비하는 레지스트 패턴 형성 방법이다. A resist pattern-forming method includes treating a surface layer of a substrate with an ultraviolet ray, plasma, water, an alkali, an acid, hydrogen peroxide, ozone, or a combination thereof. The surface layer includes at least one metal element. A resist composition is applied on a surface of the surface layer to provide a resist film directly or indirectly on the surface. The resist film is exposed to an extreme ultraviolet ray or an electron beam. The resist film exposed is developed. The at least one metal element preferably belongs to period 3 to period 7 of group 3 to group 15 in periodic table.