GATE SPACER STRUCTURE AND METHOD OF FORMING SAME

Provided are a semiconductor device and a method for forming the same. The method comprises a step of forming a sacrificial gate structure on an active region. A first spacer layer is formed along a sidewall and a top surface of the sacrificial gate structure. A first protection layer is formed on t...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	CHIEN WEI TING, LIU YI HSIU, LEE TSUNG LIN, CHANG HUICHENG, CHEN LIANG YIN
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Provided are a semiconductor device and a method for forming the same. The method comprises a step of forming a sacrificial gate structure on an active region. A first spacer layer is formed along a sidewall and a top surface of the sacrificial gate structure. A first protection layer is formed on the first spacer layer. A second spacer layer is formed on the first protection layer. A third spacer layer is formed on the second spacer layer. The sacrificial gate structure is replaced by a replacement gate structure. The second spacer layer is removed to form an air gap between the first protection layer and the third spacer layer. 반도체 디바이스 및 그 형성 방법이 제공된다. 방법은 활성 영역 위에 희생 게이트 구조물을 형성하는 단계를 포함한다. 제 1 스페이서 층은 희생 게이트 구조물의 측벽 및 상단 표면을 따라 형성된다. 제 1 보호 층은 제 1 스페이서 층 위에 형성된다. 제 2 스페이서 층은 제 1 보호 층 위에 형성된다. 제 3 스페이서 층은 제 2 스페이서 층 위에 형성된다. 희생 게이트 구조물은 대체 게이트 구조물로 대체된다. 제 2 스페이서 층은 제거되어 제 1 보호 층과 제 3 스페이서 층 사이에 에어 갭을 형성한다.