Optical proximity correction method and manufacturing method of lithography mask using the same

The present invention provides an optical proximity correction method, including the steps of: providing a design layout including conductive patterns; determining line end void (LEV) risk patterns having a possibility of generating a defect in contact caused by LEV; setting markers including a part of the LEV risk patterns and a part of the conductive patterns adjacent to the LEV risk patterns; carrying out LEV recognition OPC for the LEV risk patterns contained in the markers; and calculating the cost function of each of the markers, wherein the LEV recognition OPC uses a bridge target pattern determined by the bridge target, which is the minimum distance set between the conductive patterns, as a target shape. 일부 실시예들에 따른 OPC 방법은, 도전성 패턴들을 포함하는 디자인 레이아웃을 제공하는 단계; 상기 도전성 패턴들 중 라인 엔드 보이드(Line End Void, 이하 LEV)에 의한 컨택 불량이 발생할 위험이 있는 LEV 위험 패턴들을 결정하는 단계; 상기 LEV 위험 패턴들의 일부 및 상기 LEV 위험 패턴들에 인접한 상기 도전성 패턴의 일부를 포함하는 마커들을 설정하는 단계; 상기 마커들에 포함된 상기 LEV 위험 패턴들에 대해 LEV 인식 OPC를 수행하는 단계; 및 상기 마커들 각각의 비용 함수를 계산하는 단계;를 포함하되, 상기 LEV 인식 OPC는 상기 도전성 패턴들 사이의 설정된 최소 거리인 브릿지 타겟에 의해 결정되는 브릿지 타겟 패턴을 목표 형상으로 한다.