SL 3D 3Ddimension image sensor based on SLStructured Light

The technical idea of the present invention provides an SL-based 3D image sensor having a structure capable of reducing the process difficulty of wiring layers and increasing the area of a lower pad of a capacitor. The 3D image sensor comprises: a pixel region comprising a photodiode formed in a semiconductor substrate and a gate group having a plurality of gates on an upper part of and around the photodiode; multiple wiring layers disposed on an upper part of the pixel region and having at least two wiring layers electrically connected to the semiconductor substrate and the gates; and a capacitor structure disposed between a first wiring layer positioned at the lowermost part of the multiple wiring layers and a second wiring layer positioned on an upper part of the first wiring layer, and comprising a bottom pad, a top pad, and a plurality of capacitors between the bottom pad and the top pad. The bottom pad is connected to the first wiring layer. 본 발명의 기술적 사상은 배선층의 공정 난이도를 감소시키고, 커패시터의 하부 패드의 면적을 증가시킬 수 있는 구조를 갖는 SL 기반의 3D 이미지 센서를 제공한다. 그 3D 이미지 센서는 반도체 기판 내에 형성된 포토다이오드, 및 상기 포토다이오드의 상부와 주변의 복수의 게이트를 구비한 게이트 그룹을 포함한 픽셀 영역; 상기 픽셀 영역의 상부에 배치되고, 상기 반도체 기판 및 게이트에 전기적으로 연결된 적어도 2개의 배선층을 구비한 다중 배선층; 및 상기 다중 배선층 중 최하부에 위치하는 제1 배선층과 상기 제1 배선층의 상부에 위치하는 제2 배선층 사이에 배치되고, 바텀 패드, 탑 패드 및 상기 바텀 패드와 탑 패드 사이의 복수의 커패시터를 구비하는 커패시터 구조체;를 포함하고, 상기 바텀 패드는 상기 제1 배선층에 연결된다.