METHOD FOR MACHINING WAFER

Provided is a method for processing a wafer to prevent quality of a device from deteriorating even when a rear surface of the wafer is processed. According to the present invention, the wafer processing method, which is configured to process a rear surface (10b) of a wafer (10) in which a plurality of devices (11) are divided by planned dividing lines (12) and formed on a front surface (10a) of the wafer, includes at least the following steps: a wafer arrangement step of laying any sheet (14) of polyolefin sheet or polyester sheet having a size equal to or larger than the shape of the wafer on the upper surface of a support table (20) having a flat upper surface (22), laying a release layer (16) having a diameter smaller than that of the wafer on the upper surface of the sheet, and positioning the front surface of the wafer on the upper surface of the sheet; a sheet thermo-compression bonding step of heating a sheet by reducing a pressure of a wafer arranged on a support table via a sheet and a release layer in a closed environment, and pressing the wafer to thermally bond an outer periphery of the wafer to the sheet; a processing step of processing the rear surface of the wafer; and a peeling step of peeling the sheet from the wafer. (과제) 웨이퍼의 이면을 가공해도, 디바이스의 품질을 저하시키지 않는 웨이퍼의 가공 방법을 제공한다. (해결 수단) 본 발명에 의하면, 복수의 디바이스 (11) 가 분할 예정 라인 (12) 에 의해 구획되고 표면 (10a) 에 형성된 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 을 가공하는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 상면 (22) 이 평탄하게 형성된 지지 테이블 (20) 의 상면 (22) 에 웨이퍼 (10) 의 형상과 동등 이상의 크기의 폴리올레핀계 시트 또는 폴리에스테르계 시트의 어느 시트 (14) 를 부설함과 함께, 시트 (14) 의 상면에 웨이퍼 (10) 보다 소경의 박리층 (16) 을 부하고, 시트 (14) 의 상면에 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 을 위치 부여하여 배치 형성하는 웨이퍼 배치 형성 공정과, 시트 (14) 및 박리층 (16) 을 개재하여 지지 테이블 (20) 에 배치 형성된 웨이퍼 (10) 를 밀폐 환경 내에서 감압하여 시트 (14) 를 가열함과 함께 웨이퍼 (10) 를 가압하여 시트 (14) 에 웨이퍼 (10) 의 외주를 열압착하는 시트 열압착 공정과, 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 에 가공을 실시하는 가공 공정과, 시트 (14) 를 웨이퍼 (10) 로부터 박리하는 박리 공정으로 적어도 구성되는 웨이퍼의 가공 방법이 제공된다.