화학적 에칭에 의한 선택적 퇴적 결함들의 제거

제2 기판 표면에 대해 선택적으로 제1 기판 표면 상에 막을 퇴적하는 방법이 기재된다. 방법들은 기판을 차단 분자에 노출시켜 제1 표면 상에 차단 층을 선택적으로 퇴적하는 것을 포함한다. 제2 표면 상에 층이 선택적으로 형성되고, 층의 결함들이 차단 층 상에 형성된다. 결함들이 제1 표면 상의 차단 층으로부터 제거된다. Methods of depositing a film selectively onto a first substrate surface relative to a second substrate surface are described. The methods include exposing a substrate to a blocking molecule to selectively deposit a blocking layer on the first surface. A layer is selectively formed on the second surface and defects of the layer are formed on the blocking layer. The defects are removed from the blocking layer on the first surface.