p-n CdO-based p-n heterostructure enhanced photoelectric properties and fabrication method thereof

The present invention relates to a cadmium oxide-based p-n heterostructure including an n-type cadmium oxide-based semiconductor with enhanced photoelectric properties through metal doping at specific concentration. According to the present invention, the cadmium oxide-based p-n heterostructure shows the effect that optical and electrical properties are improved by performing metal doping by 0.1 to 0.3 mM using spray pyrolysis coating to an n-type cadmium oxide-based semiconductor with an n-type cadmium oxide/p-type semiconductor heterostructure. According to the present invention, the cadmium oxide-based p-n heterostructure may be usefully used in the field of an optical circuit such as a field effect transistor, a light emitting diode, a UV sensor, and a laser sensor. 본 발명은 특정 농도의 금속 도핑을 통해 광전 특성이 향상된 n형 산화카드뮴 반도체를 포함하는 산화카드뮴계 p-n 이종접합 구조체에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, n형 산화카드뮴/p형 반도체 이종접합 구조체의 n형 산화카드뮴 반도체에 분무 열분해 코팅을 이용하여 0.1~0.3 mM로 금속 도핑함으로써, 광학적 및 전기적 특성이 향상되는 효과를 나타내므로, 본 발명에 따른 산화카드뮴계 p-n 이종접합 구조체는 전계 효과 트랜지스터, 발광 다이오드, 자외선 센서, 레이저 센서 등 광학회로 분야에 유용하게 사용될 수 있다.