헤테로에피택셜 웨이퍼 및 헤테로에피택셜 웨이퍼의 제조 방법

헤테로에피택셜 웨이퍼 및 헤테로에피택셜 웨이퍼의 제조 방법. 헤테로에피택셜 웨이퍼는 다음을 순서대로 포함한다: 직경 및 두께를 갖는 실리콘 기판; AlN 핵 형성층; 0 < z 인 제1 평균 Al 함량 z를 갖는 AlGaN 층인 제1 변형 구축 층; 5개 이상 50개 이하의 제1 층 시퀀스의 유닛을 포함하는 제1 변형 보존 블록 - 제1 층 시퀀스는 AlN 층 및 적어도 두 개의 AlGaN 층을 포함하고, 제1 변형 보존 블록은 y > z 인 제2 평균 Al 함량 y를 가짐 - ; 0 ≤ x < y 인 제3 평균 Al 함량 x를 갖는 AlGaN 층인 제2 변형 구축 층; 5개 이상 50개 이하의 제2 층 시퀀스의 유닛을 포함하는 제2 변형 보존 블록 - 제2 층 시퀀스는 AlN 층 및 적어도 하나의 AlGaN 층을 포함하고, 제2 변형 보존 블록은 x < w < y 인 제4 평균 Al 함량 w를 가지고, AlN 핵 형성층과 GaN 층 사이의 층들은 AlGaN 버퍼를 형성함. A heteroepitaxial wafer and a method for producing a heteroepitaxial wafer. The heteroepitaxial wafer comprises in the following order: a silicon substrate having a diameter and a thickness; an AIN nucleation layer; a first strain building layer which is an Al z Ga 1-z N layer having a first average Al content z, wherein 0 < z; a first strain preserving block comprising not less than 5 and not more than 50 units of a first sequence of layers, the first sequence of layers comprising an AIN layer and at least two AlGaN layers, the first strain preserving block having a second average Al content y, wherein y > z; a second strain building layer which is an Al x Ga 1-x N layer having a third average Al content x, wherein 0 ‰¤ x < y; a second strain preserving block comprising not less than 5 and not more than 50 units of a second sequence of layers, the second sequence of layers comprising an AIN layer and at least one AlGaN layer, the second strain preserving block having a fourth average Al content w, wherein x < w < y, and a GaN layer, wherein the layers between the AIN nucleation layer and the GaN layer form an AlGaN buffer.