TRANSISTOR LAYOUT AND SIZING FOR HIGH SPEED APPLICATIONS
A first type of a semiconductor device comprises a first fin structure extending in a first direction, a first gate, and a first slot contact disposed on the first fin structure. The first gate extends in a second direction and has a first gate dimension measured in the first direction. The first sl...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; kor |
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| Zusammenfassung: | A first type of a semiconductor device comprises a first fin structure extending in a first direction, a first gate, and a first slot contact disposed on the first fin structure. The first gate extends in a second direction and has a first gate dimension measured in the first direction. The first slot contact has a first slot contact dimension measured in the first direction. A second type of a semiconductor device comprises a second fin structure extending in a third direction, a second gate, and a second slot contact disposed on the second fin structure. The second gate extends in a fourth direction and has a second gate dimension measured in the third direction. The second slot contact has a second slot contact dimension measured in the third direction. The second slot contact dimension is greater than the second gate dimension and greater than the first slot contact dimension.
제 1 유형의 반도체 디바이스는 제 1 방향으로 연장되는 제 1 핀 구조, 제 1 게이트, 및 제 1 핀 구조 위에 배치된 제 1 슬롯 콘택을 포함한다. 제 1 게이트는 제 2 방향으로 연장되고 제 1 방향으로 측정된 제 1 게이트 치수를 갖는다. 제 1 슬롯 콘택은 제 1 방향으로 측정된 제 1 슬롯 콘택 치수를 갖는다. 제 2 유형의 반도체 디바이스는 제 3 방향으로 연장되는 제 2 핀 구조, 제 2 게이트, 및 제 2 핀 구조 위에 배치된 제 2 슬롯 콘택을 포함한다. 제 2 게이트는 제 4 방향으로 연장되고 제 3 방향으로 측정된 제 2 게이트 치수를 갖는다. 제 2 슬롯 콘택은 제 3 방향으로 측정된 제 2 슬롯 콘택 치수를 갖는다. 제 2 슬롯 콘택 치수는 제 2 게이트 치수보다 크고 제 1 슬롯 콘택 치수보다 크다. |
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