다중 촉발 포토레지스트 조성물 및 방법

본 개시내용은 신규 다중 촉발 네거티브 작동 포토레지스트 조성물 및 공정에 관한 것이다. 상기 공정은 제1 단계에서 가교결합 작용기로부터 산-불안정성 보호기를 제거하는 단계 및 제2 단계에서 상기 가교결합 작용기를 산 민감성 가교결합제와 가교결합시키는 단계를 포함한다. 레지스트 촉매작용 쇄 내의 다중 촉발 경로의 혼입은 낮은 선량의 조사를 수용하는 면적에서 화학적 구배를 증가시켜, 선량 의존적 켄처-유사체의 빌트로서 효과적으로 작용하고, 따라서 화학적 구배 및 이에 따른 분해능, 분해능 블러 및 노광 허용도를 향상시킨다. 상기 포토레지스트 조성물 및 상기 방법은 예를 들어, 자외 방사선, 초극자외 방사선, 극자외 방사선, X-선 및 하전 입자 선을 사용하는 미세 패턴 가공에 이상적이다. The present disclosure relates to novel multiple trigger negative working photoresist compositions and processes. The processes involve removing acid-labile protecting groups from crosslinking functionalities in a first step and crosslinking the crosslinking functionality with an acid sensitive crosslinker in a second step. The incorporation of a multiple trigger pathway in the resist catalytic chain increases the chemical gradient in areas receiving a low dose of irradiation, effectively acting as a built in dose depend quencher-analog and thus enhancing chemical gradient and thus resolution, resolution blur and exposure latitude. The photoresist compositions and the methods are ideal for fine pattern processing using, for example, ultraviolet radiation, beyond extreme ultraviolet radiation, extreme ultraviolet radiation, X-rays and charged particle rays.