반도체 처리용 조성물 및 처리 방법

피처리체의 텅스텐을 포함하는 배선 등에 미치는 부식에 의한 손상을 억제하고, 피처리체의 표면으로부터 오염을 효율적으로 제거할 수 있는 반도체 처리용 조성물 및 그것을 사용한 처리 방법을 제공한다. 본 발명에 관한 처리 방법은, 배선 재료로서 텅스텐을 포함하는 배선 기판을, 철 이온 및 과산화물을 함유하는 조성물을 사용하여 화학 기계 연마한 후에, 3급 아미노기 및 그의 염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 기를 2개 이상 갖는 화합물 (A)와, 용해 파라미터가 10 이상인 수용성 화합물 (B)를 함유하고, pH가 2 내지 7인 반도체 처리용 조성물을 사용하여 처리하는 공정을 포함한다. Provided are a composition for semiconductor treatment capable of suppressing damage due to corrosion to wiring or the like including tungsten on an object to be treated, and efficiently removing contamination from a surface of the object to be treated, and a treatment method using the composition for semiconductor treatment. The treatment method includes a step of, after subjecting a wiring board including tungsten as a wiring material to chemical mechanical polishing using a composition containing an iron ion and a peroxide, subjecting the wiring board to treatment with a composition for semiconductor treatment which includes: a compound (A) having two or more of at least one selected from a group consisting of tertiary amino groups and salts thereof; and a water-soluble compound (B) having a solubility parameter of 10 or more, and which has a pH of from 2 to 7.