Variable resistance memory device and method of forming the same

A variable resistance memory device comprises: a first conductive line on a substrate; a second conductive line arranged on the first conductive line and crossing the first conductive line; and a memory cell arranged between the first conductive line and the second conductive line. The memory cell includes a variable resistance pattern and a heater electrode on the variable resistance pattern. The heater electrode includes a through hole penetrating therein so that the through hole exposes one surface of the variable resistance pattern. 가변 저항 메모리 장치는, 기판 상의 제1 도전 라인, 상기 제1 도전 라인 상에 배치되고 상기 제1 도전 라인을 가로지르는 제2 도전 라인, 및 상기 제1 도전 라인과 상기 제2 도전 라인 사이에 배치되는 메모리 셀을 포함한다. 상기 메모리 셀은 가변 저항 패턴, 및 상기 가변 저항 패턴의 상의 히터 전극(heater electrode)을 포함한다. 상기 히터 전극은 그 내부를 관통하는 관통 홀을 포함하고, 상기 관통 홀은 상기 가변 저항 패턴의 일 면을 노출한다.