CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS

According to an embodiment of the present invention, a chemical mechanical polishing apparatus comprises: a polishing head including a polishing head body, a membrane attached to a lower portion of the polishing head body, and a reflector disposed between the polishing head body and the membrane; a platen including a window; an oscillator disposed below the window of the platen to emit terahertz waves; a detector disposed below the window of the platen to receive the terahertz waves emitted from the oscillator; and an analyzer configured to analyze an electrical signal of the terahertz waves received from the detector, and determine a polishing end point. The present invention can detect an accurate polishing end point in a CMP process using the terahertz waves. 본 발명의 실시예에 따른 화학적 기계적 연마 장치는, 연마 헤드 본체, 상기 연마 헤드 본체의 하부에 부착된 멤브레인 및 상기 연마 헤드 본체와 상기 멤브레인 사이에 배치된 반사판을 포함하는 연마 헤드, 윈도우를 포함하는 플래튼, 상기 플래튼의 상기 윈도우 아래에 배치되고 테라헤르츠파를 방출하는 발진기, 상기 플래튼의 상기 윈도우 아래에 배치되고 상기 발진기로부터 방출된 상기 테라헤르츠파를 수신하는 검출기, 및 상기 검출기로부터 전달받은 상기 테라헤르츠파의 전기적 신호를 분석하고 연마 종료 시점을 결정하는 분석 장치;를 포함한다.