SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Provided are a semiconductor device including a capacitor in which electrostatic capacity is improved by s simplified process, and a manufacturing method thereof. The semiconductor device comprises: an insulating structure including a first trench on a substrate; a first conductive layer having a portion of an upper surface exposed by the first trench in the insulating structure; a capacitor structure including first electrode patterns, dielectric patterns, and second electrode patterns stacked on the first conductive layer in order; and a first wiring pattern formed on the capacitor structure. The first electrode patterns extend along a side wall and the bottom of the first trench, and the upper surface of the insulating structure. 간소화된 공정으로 정전 용량이 향상된 커패시터를 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 반도체 장치는, 기판 상에, 제1 트렌치를 포함하는 절연 구조체, 절연 구조체 내에, 제1 트렌치에 의해 상면의 일부가 노출되는 제1 도전층, 제1 도전층 상에 차례로 적층되는 제1 전극 패턴, 유전 패턴 및 제2 전극 패턴을 포함하는 커패시터 구조체, 및 커패시터 구조체 상의 제1 배선 패턴을 포함하고, 제1 전극 패턴은 제1 트렌치의 측벽 및 바닥면과, 절연 구조체의 상면을 따라 연장된다.