SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Provided is a method for manufacturing a semiconductor device comprising: providing of a semiconductor substrate, forming of a rewiring on an upper surface of the semiconductor substrate, and forming of a protective film covering the rewiring on the upper surface of the semiconductor substrate. Forming of the rewiring comprises performing of a first process which forms a first portion of the rewiring on the upper surface of the semiconductor substrate, and performing of a second process which forms a second portion of the rewiring on the first portion of the rewiring. The average grain size of the second portion of the rewiring may be smaller than the average grain size of the first portion of the rewiring. According to the present invention, adhesiveness of the rewiring to the protective film or a rewiring pad can be improved. 반도체 기판을 제공하는 것, 상기 반도체 기판의 상면 상에 재배선을 형성하는 것, 및 상기 반도체 기판의 상기 상면 상에서 상기 재배선을 덮는 보호막을 형성하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법을 제공하되, 상기 재배선을 형성하는 것은 상기 반도체 기판의 상기 상면 상에 상기 재배선의 제 1 부분을 형성하는 제 1 공정을 수행하는 것, 및 상기 재배선의 제 1 부분 상에 상기 재배선의 제 2 부분을 형성하는 제 2 공정을 수행하는 것을 포함하고, 상기 재배선의 상기 제 2 부분의 평균 결정립 크기(grain size)는 상기 재배선의 상기 제 1 부분의 평균 결정립 크기보다 작을 수 있다.