FILM-FORMING METHOD AND FILM-FORMING APPARATUS

저저항의 금속 질화막을 형성할 수 있는 기술을 제공한다. 본 개시의 일 양태에 따른 성막 방법은, 기판을 수용하는 처리 용기 내에 금속 함유 가스를 공급하는 제1 공정과, 상기 처리 용기 내에 퍼지 가스를 공급하는 제2 공정과, 상기 처리 용기 내에 질소 함유 가스를 공급하는 제3 공정과, 상기 처리 용기 내에 퍼지 가스를 공급하는 제4 공정을 소정 사이클 반복하여, 상기 기판 상에 금속 질화막을 형성하는 성막 방법이며, 상기 제4 공정은, 상기 제1 공정의 상기 금속 함유 가스의 유량 이상의 제1 유량의 제1 퍼지 가스를 공급하는...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	YAMAZAKI KAZUYOSHI, NAKAMURA HIDEO, IDENO YOSHIKAZU, TAKAHASHI TSUYOSHI
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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